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ICP의 측정원리

ICP 측정원리 확대
에너지의 변화는 바닥상태와 어떤 들뜬 상태 사이, 또는 어떤 들뜬 상태 사이에서 발생한다.

ICP 방출분석장치의 개략도

ICP 방출분석장치의 개략도 확대

들뜸원의 토오치에 냉각, 보조, 운반 등 3종류의 아르곤 기체를 흘려주면서 유도코일에 들뜸전원으로부터의 고주파전력을 공급하여 토오치 위에 플라즈마를 생성시킨다. 플라즈마가 안정화된 다음 시료도입부로부터 분무기를 통하여 시료용액을 플라즈마에 도입하면 측정 대상원소의 원자나 이온이 들떠서 복사선을 방출한다. 이 복사선을 집광시켜 분광기의 입구슬릿에 초점을 맞추게 한 다음, 분광기로 측정원소의 방출선을 선택하고 출구슬릿을 통하여 검출기에 도달하게 된다. 검출기에 도달하면 증폭 및 연산장치에 의해 증폭되고 아날로그 신호에서 디지털로 변형된 후 데이터 기록장치에 입력되어 소정의 신호로 기록된다.

검출기에 따른 ICP 종류

PMT(Photo Multipier tube, 광전증배관)

PMT(Photo Multipier tube, 광전증배관) 확대

분광기의 출구슬릿 바로 뒤에 광전증배관을 놓고 광 신호를 검출하고 광전변환하여 광 전류로서 광의 세기를 측정한다. 표준 광전증배관은 아홉 단계의 다이노드(dynode)가 배열되어 그 사이에 저항을 주어 조금씩 전압차를 갖게 한다.

광자의 충돌에 의해 광전 음극에서 발생된 전자는 2차 전자 방출이 용이한 다이노드에 의해 한 단계씩 증식되어 최종단의 양극에 모이게 된다.

CTD(Charge Transfer Detector)

CTD(Charge Transfer Detector) 확대
  • - Solid state 형태의 검출기로, 일정 면적에 조사되는 복사선을 측정하는 면적 검출(Area Detection)방식.
  • - 모든 파장을 동시에 검출하는 동시분석 검출기.
  • - 3차원적인 조사가 가능하며, finger print 기능이 있다.
  • - 광전증배관 전체에 걸어주는 전압은 500-1000V이며, 106배까지 광전자가 증배된다.
  • - 종류
    • · CID(Charge Injection Device) - XDL, XUV
    • · CCD(Charge Coupled Device)
    • · SCD(Segment Coupled Device)

검출방식에 따른 ICP 분류

검출방식에 따른 ICP 분류 확대

일반적으로 ICP는 검출방식에 따라 3종류로 나누어진다.

즉, 고전적인 방식인 radial viewing과 최근에 사용되는 axial viewing이 있으며, 이 두 방식의 장점을 살려 사용되는 dual viewing이 있다.

검출방식에 따른 ICP 분류방법
  Radial viewing Axial viewing
장점
  • - Alkali-metal 분석용 : 낮은 ionization effect
  • - Organic solvent 시료 및 복잡한 matrix 시료에 적합
  • - Low power / low flow plasma 사용 : 적은 Ar 소모량
  • - 높은감도(2-10배)
  • - 낮은 기저값 정밀도 향상 및 낮은 검출한계
  • - 단순한 matrix를 갖는 시료에 적합
단점
  • - 낮은감도
  • - 높은기저값
  • - Ionization effect
  • - Ar 소모량이 많음

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